cmos-ram單元：內(nèi)置備用電池。
UM：7K字；
DM：1K字。
CPU有一個安裝存儲器盒的艙。
存儲器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲器盒CVM1D-BI102基礎(chǔ)知識。
要將程序?qū)懭隕PROM，請使用標準PROM寫入器。
在EPROM存儲器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲器盒內(nèi)CVM1D-BI102
若將EPROM存儲器盒從CPU上拆下，不會丟失它的數(shù)據(jù)。20點輸入輸出型。
連接器（MIL）。
需要I/O連接器數(shù)：2個。
輸入：DC24V，12點CVM1D-BI102基礎(chǔ)知識。
輸出：晶體管（漏型），8點。
計時：有。
在小型的外表下集合了有效控制機器的多彩的功能。
CPU具有繼電器輸出/晶體管輸出、端子臺鏈接器連接、時鐘功能有無等多種型號（DC電源）。
可根據(jù)現(xiàn)場情況選擇輸出類型、I/O點數(shù)。
另外，通用8點/10點/16點/20點/24點/32點的擴展I/O單元，
多可控制192點輸入輸出。控制方法/控制輸出接口：脈沖串線性驅(qū)動器輸出、脈沖計數(shù)器功能。
控制軸數(shù)：2軸。
已分配的單元數(shù)編號：2。
電流消耗(A)：0.27。
這樣，可以實現(xiàn)高分辨率和高速度。
具備單元同步和更高速度的運動控制功能
具備2或4軸以及集電極開路輸出或線性34線性驅(qū)動器輸出CVM1D-BI102基礎(chǔ)知識。
控制2或4軸。
可以實現(xiàn)伺服電機和脈沖電機以及線性電機和直接驅(qū)動器
電機的高速、高分辨率位置控制。
通過高速控制提高生產(chǎn)率
獲得更快的脈沖輸出啟動時間。脈沖輸出從CPU單元發(fā)送指令后0.1ms立即啟動。
（先前型號在2ms內(nèi)啟動脈沖輸出。有關(guān)條件和其它詳情，請參見操作手冊。）
脈沖輸出高達4Mpps，可兼容線性電機和直接驅(qū)動器電機。這樣，可以實現(xiàn)高分辨率和高速度。
使用更的功能增加附加值
可以使用高速總線同步CPU單元和位置控制單元之間的操作。
可以在多5個單元或20個軸之間進行同步控制。
使用電子凸能可以實現(xiàn)大量應(yīng)用。
內(nèi)置高速計數(shù)器只通過一個位置控制單元就可以在控制位置時電機的當前值。
支持OMNUCG系列和G5系列伺服電機的對編碼器，啟用對定位系統(tǒng)。
*這樣消除了電源中斷后重新定義原點的需求，可幫助提供額外的附加值。
從直接操作或存儲操作中選擇。可以將多達500個定位序列保存為每個軸存儲操作的數(shù)據(jù)。
可以為每個序列設(shè)置三個結(jié)束模式中任意一個：獨立、自動或連續(xù)，可以使用重復(fù)指令和跳動指令獲取復(fù)雜的運動控制。
線性插補、弧形插補、索引表控制、進給器控制以及MPG功能可以用于獲取這些位置控制單元的運動控制單元的功能。
大量的功能讓您可以輕松進行位置控制，包括示教、馳、齒隙補償、區(qū)域設(shè)置以及S曲線加速/減速。
降低TCO。
所有支持軟件功能集成到了CX-Programmer。結(jié)合了數(shù)據(jù)和其它CX-Programmer功能，
從設(shè)計和調(diào)試到系統(tǒng)實施和維護的工作效率得以提高。
線性驅(qū)動器輸出的位置控制單元生成用于線性驅(qū)驅(qū)動器內(nèi)部的DC5V電源CVM1D-BI102替換指南。
僅提供DC24V電源，就可以進行控制，與帶帶有集電極開路輸出的單元相同CVM1D-BI102替換指南。
準備了功能塊，為所有位置控制單元功能提供功能塊。
這可以降低梯形圖編程工作量。甚至可以使用功能塊庫輕松構(gòu)建使用電子凸輪的同步應(yīng)用程序。
*減速裝置運轉(zhuǎn)時不能使用對編碼器。