輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
開關(guān)容量：DC24V，0.5 A，源型。
所需字?jǐn)?shù)：1字。
將單元安裝到CPU裝置時，多可控制960點(diǎn)。
CS1提高空間效率。只需將10個基本I/O單元(各96個I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置，
即可控制多達(dá)960個I/O點(diǎn)C500-LK201-V1技術(shù)說明。或者，通過按住五個模擬量輸入單元和五個模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個模擬量I/O點(diǎn)C500-LK201-V1
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷新期間，CPU總線單元才會發(fā)生I/O刷新C500-LK201-V1技術(shù)說明。
但是，借助新CS1，通過使用DLNK指令，可立即刷新I/O。
立即刷新特定于CPU總線單元的過程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過程。cmos-ram單元：電容器備份。
UM：3K字；
DM：1K字。
CPU有一個安裝存儲器盒的艙。
存儲器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲器盒。
要將程序?qū)懭隕PROM，請使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPROM存儲器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲器1可使用PID控制指令自動調(diào)整PID常數(shù)C500-LK201-V1技術(shù)說明。
限制周期方式用于自動調(diào)整，因此可快速完成調(diào)整。
這對于多回路PID控制非常有效。
定位(使用XY表)
新csl具有許多雙精度處理指令可用于浮點(diǎn)十進(jìn)制運(yùn)算，
從而支持以更定位。
錯誤狀態(tài)生成以供調(diào)試
通過執(zhí)行診斷指令((FAL/FALS),可模擬錯誤狀態(tài)。
在新CS1中，對于根據(jù)CPU單元的錯誤狀態(tài)在PT或其他顯示設(shè)備上顯示信息的應(yīng)用，
調(diào)試非常簡單。輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)、漏型。
額定電壓：DC24V。
大負(fù)載電流：0.3A。
外部接線：拆卸端子塊。
SYSBUS遠(yuǎn)程I/O從站機(jī)架：可以。
占用單元數(shù)：1CH。
國際標(biāo)準(zhǔn)：U、C、N、L、CE。
新改進(jìn)的特殊I/O單元使得PC應(yīng)用更為容易。
新增加了運(yùn)動控制單元、雙軸高速計(jì)數(shù)器單元、8點(diǎn)模擬量I/O單元，
4點(diǎn)模擬量I/O混合單元。
安裝在CPU上特殊I/O單元數(shù)目已從多10個增加到16個，
它更充分利用了C200HX/HG PPC的功能，
正確組合特殊I/O單元可以容易地對被控制系統(tǒng)進(jìn)行管理理C500-LK201-V1用戶手冊C500-LK201-V1用戶手冊。
可實(shí)現(xiàn)智能I/O讀寫指令。
只執(zhí)行1條指令即可以傳送多個字的數(shù)據(jù)與C200HS兼容的全部特殊I/O單元都可以照常使用。
SYSMAC C200HX/HG/HE系列逐漸成為受用戶的喜愛的強(qiáng)有力的PC。