輸入點數(shù)：96點。
輸入電壓和電流：約5mA，24VDC。
將單元安裝到CPU裝置時，多可控制960點。
CS1提高空間效率。只需將10個基本I/O單元(各96個I/O點)安裝到CPU裝置，
即可控制多達960個I/O點CS1G-CPU43-V1使用案例。或者，通過按住五個模擬量輸入單元和五個模擬量輸出單元，
也可控制多達80個模擬量I/O點CS1G-CPU43-V1
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷新期間，CPU總線單元才會發(fā)生I/O刷新CS1G-CPU43-V1使用案例。
但是，借助新CS1，通過使用DLNK指令，可立即刷新I/O。
立即刷新特定于CPU總線單元的過程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過程。容量：16K字。
在C200HX\C200HG\C200HE CPU內(nèi)安裝EEPROM內(nèi)存卡，
給CPU讀寫程序和I/O數(shù)據(jù)。
EEPROM內(nèi)存卡不需要任何后備電源，
即使把它從CPU上取下，仍能保持其數(shù)據(jù)。
EEPROM內(nèi)存卡有一個存儲保護開關(guān)(SW1)。
ON：EEPROM內(nèi)存卡數(shù)據(jù)受到保護，禁止寫入。
OFF：數(shù)據(jù)可以寫入EEPROM內(nèi)存卡，出廠前SW1均可添加一個擴展單元以增加系統(tǒng)配置的靈活性CS1G-CPU43-V1使用案例。
收集改善生產(chǎn)效率所需的各種預(yù)防性維護數(shù)據(jù)，
例如有關(guān)由于老化導(dǎo)致的設(shè)備衰退的信息以及設(shè)備運行時間數(shù)據(jù)。
通信電源功能使啟動簡單化。
通信連接器和可拆卸式I/O端子塊可加快啟動時間并且改善可維護性。
除數(shù)字I/O從站單元的基本數(shù)字ON/OFF信號外，
還從從站單元收集有用的信息以改善設(shè)備的操作速度和可維護性。輸出信號范圍：電壓-10-10V 電流0-20mA。
分辨率：電壓1/4096 電流1/2048。
轉(zhuǎn)換速度：0.5ms/2點。
CQM1-DA021該單元提供了2路數(shù)模轉(zhuǎn)換，
其D/A轉(zhuǎn)換速度是0.5ms/2點。
需與電源單元一起使用。CQM1-TC203熱電偶輸入，類型及溫度范圍：K、J、T、R、S、B。
通過傳送命令可以設(shè)定參數(shù)并從溫度控制單元讀取數(shù)據(jù)。
因此，只有一個字可以分配給溫控單元用于輸入和和輸出，
實現(xiàn)高密度溫度控制，命令可以很容易地通TRANSFEER I/O命令實現(xiàn)CS1G-CPU43-V1指令參考手冊CS1G-CPU43-V1指令參考手冊。
溫度控制單元適用于4回路溫度控制或2回路溫度控制，
且2回路溫度控制可以提供一個加熱器熔斷報警功能。
帶有反饋回路的PID確保穩(wěn)定溫度控制，單元也能夠設(shè)置ON/OFF控制。