差分輸入、晶體管（漏型）輸出。
通道數(shù)：2CH。
外部配線連接方式：40針連接器
計(jì)數(shù)輸入信號(hào)：有
單相輸入（單倍頻/雙倍頻）：有
雙相輸入（單倍頻/雙倍頻/4倍頻）：有
CW/CCW輸入：有
信號(hào)電平（φA、φB）：EIA標(biāo)準(zhǔn)RS-422-A差分線路驅(qū)動(dòng)器電平R04ENCPU原理及應(yīng)用。
PWM輸出功能可通過高200kHz的頻率、小100ns的ON寬度輸出任意占空比的PWM波形R04ENCPU
此外，輸出PWM時(shí)仍可變更輸出周期和占空比，
適合用于需通過連續(xù)PWM信號(hào)進(jìn)行流暢控制的用途。運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算R04ENCPU原理及應(yīng)用。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：320K。
作為可編程控制器控制系統(tǒng)的核心，可編程控制器CPU模塊中已配備多種功能，
支持多種控制。程序容量從40K步到1200K步，可選擇適合系統(tǒng)規(guī)模的CPU模塊。
并且具有可直接連接到工業(yè)網(wǎng)絡(luò)的CPU模塊，可降低系統(tǒng)構(gòu)建成本。
標(biāo)配各種接口。
可編程控制器CPU模塊已標(biāo)配以太網(wǎng)端口、 USB端口、 SD存儲(chǔ)卡插槽。
以太網(wǎng)端口和USB端口可用于與對(duì)應(yīng)外圍設(shè)備之間的通信，
SD存儲(chǔ)卡插槽可用于記錄數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫(kù)等數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。
此外，還可使用擴(kuò)展SRAM卡，用于軟元件/標(biāo)簽存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展和用作硬件安全密鑰。輸入輸出模塊安裝臺(tái)數(shù)尺寸（H）×（W）×（D）：98mm×439mm×44.1mmR04ENCPU原理及應(yīng)用。
用于安裝MELSEC-Q系列各種模塊的基板模塊。
在之后的擴(kuò)展中使用Q系列擴(kuò)展基板。輸出點(diǎn)數(shù)：32點(diǎn)。
輸出形式：晶體管（漏型）輸出。
額定開閉電壓、電流：-。
額定負(fù)載電壓：DC12～24V。
大負(fù)載電流：0.2A/點(diǎn)。
響應(yīng)時(shí)間：1ms以下。
公共端方式：32點(diǎn)/公共端。
保護(hù)功能（過載、過熱）：有。
外部配線連接方式：40針連接器。
輸出模塊帶機(jī)械式繼電器觸點(diǎn)機(jī)構(gòu)，
包括所用的負(fù)載電壓范圍較大的繼電器輸出型和可用于DC12~24V負(fù)載的晶體管輸出型。
可根據(jù)負(fù)載電壓、輸出點(diǎn)數(shù)的不同，選擇適合用戶需求的模塊。
根據(jù)繼電器觸點(diǎn)壽命進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。
繼電器輸出模塊可累計(jì)各輸出點(diǎn)的ON次數(shù)。
可通過了解該繼電器觸點(diǎn)的開關(guān)次數(shù)，根據(jù)繼電器壽命進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。安全度等級(jí)（SIL）：SIL 3（IEC 61508）。
性能等級(jí)（ PL）：PL e（EN/ISO 13849-1）。
運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
程序容量：160K（安全程序用：40K）。
程序內(nèi)存：640K。
軟元件/標(biāo)簽內(nèi)存：1710K。
數(shù)據(jù)內(nèi)存：10M。
將安全功能整合到控制系統(tǒng)中。
可將以往的MELSEC iQ-R系列模塊作為一般控制用途，
在同一基板上使用，因此可構(gòu)建混合使用一般控制和安全控制的系統(tǒng)。
而且，可通過CC-Link IE Field網(wǎng)絡(luò)整合一般通信和安全通信，
在進(jìn)行安全通信時(shí)，也可使用一般的以太網(wǎng)電纜，
無需使用專用電纜等。
符合國(guó)際安全全標(biāo)準(zhǔn)的安全CPU可同時(shí)控制一般系統(tǒng)和安全系統(tǒng)R04ENCPUFB參考。
可通過CC-Link IEE Field網(wǎng)絡(luò)，
將安全開關(guān)和安全光幕等連接到使用了安全CPU的系統(tǒng)，
構(gòu)建混合使用一般控制和安全控制的系統(tǒng)R04ENCPUFB參考。
此外，通過使用操作直觀的工程軟件GX Works3，
集中進(jìn)行一般控制和安全控制的編程。