運(yùn)算控制方式：存儲程序反復(fù)運(yùn)算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：40K。
提高恒定周期中斷程序的速度。
執(zhí)行恒定周期中斷程序的小間隔可縮短到50μs，
可編程控制器可切實(shí)讀取更高速的信號R60AD8-G參數(shù)。
此外，還可為中斷程序設(shè)定優(yōu)先度，在中斷處理時執(zhí)行優(yōu)先度高的中斷程序。
因此，在高速讀取信號時，也可通過常規(guī)的輸入模塊+CPU模塊的恒定周期中斷程序讀取信號R60AD8-G
便于處理的軟元件/標(biāo)簽區(qū)域
將擴(kuò)展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后，
可擴(kuò)展多 5786K 字的軟元件/標(biāo)簽存儲區(qū)域R60AD8-G參數(shù)。
擴(kuò)展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標(biāo)簽等的范圍。
因此，可輕松進(jìn)行編程，而無需考慮各存儲區(qū)域的邊界。
此外，還可使用SD存儲卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。安全度等級（SIL）：SIL 3（IEC 61508）。
性能等級（ PL）：PL e（EN/ISO 13849-1）。
運(yùn)算控制方式：存儲程序反復(fù)運(yùn)算。
程序容量：1200K（安全程序用：40K）。
程序內(nèi)存：4800K。
軟元件/標(biāo)簽內(nèi)存：3370K。
數(shù)據(jù)內(nèi)存：40M。
統(tǒng)一程序開發(fā)環(huán)境。
無論是一般控制程序還是安全控制程序，都可以整合制程序時，也和創(chuàng)建一般控制程序時相同，
可使用支持程序開發(fā)的GXWorks3的各種功能R60AD8-G參數(shù)。
通過高響應(yīng)性和豐富的程序容量提高生產(chǎn)效率。
有效利用的MELSEC iQ-R系列和CC-Link IE Field網(wǎng)絡(luò)，
提高響應(yīng)性，改善生產(chǎn)效率。
此外，安全控制用程序容量增加到40K步,約為以往的3倍。
可通過使用安全CPU，處理復(fù)雜的大容量程序。輸入：DC輸入。
輸入點(diǎn)數(shù)：32點(diǎn)。
額定輸入電壓：DC24V
額定輸入電流：4.0 TYP。
響應(yīng)時間：0.1～70ms。
公共端方式：32點(diǎn)、公共端。
中斷功能：有。
輸出：晶體管（漏型）輸出。
輸出點(diǎn)數(shù)：32點(diǎn)
額定負(fù)載電壓：DC12～24V。
大負(fù)載載電流：0.2A/點(diǎn)R60AD8-G模塊配置手冊。
響應(yīng)時間：1ms以下。
公共端方式：32點(diǎn)/公共共端R60AD8-G模塊配置手冊。
保護(hù)功能（過載、過熱）：有
共通。
外部配線連接方式：40針連接器兩個。
1個輸入輸出混合模塊可同時滿足輸入模塊和輸出模塊兩者的功能要求。
將2個模塊的功能集中到1個模塊中，有助于節(jié)省空間和成本。