輸出點數(shù)：64點。
輸出電壓及電流：DC12~24V；0.1A/點；2A/公共端。
OFF時漏電流：0.1mA。
應答時間：1ms。
32點1個公共端。
源型Q25HCPU技術(shù)說明。
40針連接器。
帶熱防護。
帶浪涌吸收器。
帶保險絲。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時的數(shù)據(jù)，
檢驗程序調(diào)試的時間等，可縮短設備故障分析時間和啟動時間Q25HCPU
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時間。
可用編程工具對收集的數(shù)據(jù)進行分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化Q25HCPU技術(shù)說明。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進行顯示。
高速處理，生產(chǎn)時間縮短，更好的性能。
隨著應用程序變得更大更復雜，縮短系統(tǒng)運行周期時間是非常必要的。
通過高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實現(xiàn)以往與單片機控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標準RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU，從而簡化了編程Q25HCPU技術(shù)說明。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。連接讀寫2ch。
ID系統(tǒng)接口模塊。
ID控制器BIS M-688-001/002是可直接安裝到Q系列的基板上，
通過可編程控制器指令讀寫ID標簽數(shù)據(jù)的控制模塊。
BIS M-688-002的梯形圖與QD35ID1/2兼容。
可連接2個天線，還可同時進行2通道的并行處理。
可使用BIS M系列的所有ID標簽。
巴魯夫ID系統(tǒng)/BIS系列是可利用電磁結(jié)合方式讀寫數(shù)據(jù)的工業(yè)自動化ID系統(tǒng)。
ID標簽具有多種尺寸和存儲容量。輸入：8通道。
熱電偶。
轉(zhuǎn)換速度：320ms/8通道。
40針連接器。
適合用于過程控制的隔離模擬量模塊。
可通過連接熱電偶/熱電阻來收集溫度數(shù)據(jù)。
產(chǎn)品可選擇多通道（ 8通道）輸入型和通道隔離型。
客戶可根據(jù)預期用途選擇適合的型號。
自動備份關鍵數(shù)據(jù)
將程序和參數(shù)文件自動保存到無需使用備份電池的程序存儲器（Flash ROM）中，
以防因忘記更換電池而導致程序和參數(shù)丟失。
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標準ROM，
以避免在長假期間等計劃性停機時，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失。
下次打開電源時，備份的數(shù)據(jù)將自動恢復。
縮短系統(tǒng)停機復原時間。

只需簡單的操作，即可將CPU內(nèi)的所有數(shù)據(jù)備份到存儲卡中Q25HCPU用戶手冊。
通過定期備份，可始始終將新的參數(shù)、程序等保存到存儲卡Q25HCPU用戶手冊。
在萬一發(fā)生CPU故障時，在更換CPU后，可通過簡單的操作，
通過事前備份了數(shù)據(jù)的存儲卡進行系統(tǒng)復原。
因此，無需花費時間管理備份數(shù)據(jù)，也可縮短系統(tǒng)停機時的復原時間。