輸出點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)。
輸出電壓及電流：DC5~24A/點(diǎn)；8A/公共端。
OFF時(shí)漏電流：0.1mA。
應(yīng)答時(shí)間：10ms。
漏型、源型共用型。
18點(diǎn)端子臺(tái)。
帶浪涌吸收器QD70D8參數(shù)規(guī)格。
所有點(diǎn)獨(dú)立。
高速處理，生產(chǎn)時(shí)間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運(yùn)行周期時(shí)間是非常必要的。
通過(guò)高的基本運(yùn)算處理速度1.9ns，可縮短運(yùn)行周期QD70D8
除了可以實(shí)現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過(guò)減少總掃描時(shí)間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)QD70D8參數(shù)規(guī)格。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等
檢驗(yàn)程序調(diào)試的時(shí)間等，可縮短設(shè)備故障分析時(shí)間和啟動(dòng)時(shí)間QD70D8參數(shù)規(guī)格。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時(shí)間。
可用編程工具對(duì)收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，
并以圖表和趨勢(shì)圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過(guò)記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。輸出：2通道。
輸入（分辨率）：0~12000；-12000~12000；0~12000；-16000~16000。
輸出DC-12~12V；DC0~20mA。
轉(zhuǎn)換速度：10ms/1通道。
18點(diǎn)端子臺(tái)。
通道之間隔離。
以智能功能拓展控制的可能性。
通道隔離型模擬量模塊在實(shí)現(xiàn)高隔離電壓的同時(shí)，
進(jìn)一步提高了基準(zhǔn)精度。
為使用通用可編程控制器進(jìn)行過(guò)程控制提供支持。
流量計(jì)、壓力表、其它傳感器等可直接連接至模擬量輸入，，
控制閥也可直接連接至模擬量輸出QD70D8EMC。
由于不需要外部隔離放大器，硬件和安裝成本得以以大幅降低QD70D8EMC。
高緣強(qiáng)度耐壓。
可隔離電氣干擾，例如電流和噪音等。
標(biāo)準(zhǔn)型模擬量輸入模塊。
隔離型模擬量輸入模塊。
無(wú)需外部隔離放大器。
不使用通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。
使用了通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。