模擬量輸入通道數(shù)：4CH。
精度
環(huán)境溫度25正負5°C：正負0.1%以內(nèi)。
環(huán)境溫度0～55°C：正負0.3%以內(nèi)。
溫度系數(shù)：-。
共通
轉(zhuǎn)換速度：80μs/CHRD75P4使用方法。
通道間緣：-。
對大輸入：正負15V、30mA。
外部配線連接方式：18點螺釘端子臺。
電壓輸入
模擬量輸入電壓：DC?10～10VRD75P4
數(shù)字量輸出值：?32000～32000。
電流輸入
模擬量輸入電流：DC0～20mA。
數(shù)字量輸出值：0～32000。
16位高分辨率（1/32000）。
無需程序即可執(zhí)行比例縮放和轉(zhuǎn)換運算RD75P4使用方法。
適合用于要求速度和精度的檢測設(shè)備。
輕松過濾高頻干擾。
通過報警輸出等執(zhí)行事件驅(qū)動型程序。
通過工程軟件創(chuàng)建、輸出任意模擬量波形數(shù)據(jù)。
通道間緣。
與輸入輸出模塊相似，模擬量模塊是傳感器等各種模擬量軟元件與可編程控制器之間的接口。
與輸入輸出模塊的不同在于其處理的是模擬量電壓和電流信號而非ON/OFF信號。
MELSEC iQ-R系列的模擬量模塊配備了高速轉(zhuǎn)換(80μs/CH)、高分辨率(1/32,000)、通道間緣、異常信號檢測等各種便捷功能，
可實現(xiàn)的模擬量控制。運算控制方式：存儲程序反復(fù)運算。
輸入輸出點數(shù)：4096點。
程序容量：1200K從40K步到1200K步，可選擇適合系統(tǒng)規(guī)模的CPU模塊RD75P4使用方法。
并且具有可直接連接到工業(yè)網(wǎng)絡(luò)的CPU模塊，可降低系統(tǒng)構(gòu)建成本。
便于處理的軟元件/標簽區(qū)域
將擴展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后，
可擴展多 5786K 字的軟元件/標簽存儲區(qū)域。
擴展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標簽等的范圍。
因此，可輕松進行編程，而無需考慮各存儲區(qū)域的邊界。
此外，還可使用SD存儲卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。運算控制方式：存儲程序反復(fù)運算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點數(shù)：4096點。
程序容量：40K。
提高恒定周期中斷程序的速度。
執(zhí)行恒定周期中斷程序的小間隔可縮短到50μs，
可編程控制器可切實讀取更高速的信號。
此外，還可為中斷程序設(shè)定優(yōu)先度，在中斷處理時執(zhí)行優(yōu)先度高的中斷程序。
因此，在高速讀取信號時，也可通過常規(guī)的輸入模塊+CPU模塊的恒定周期中斷程序讀取信號。
便于處理的軟元件/標簽區(qū)域
將擴展SRAM卡安裝到可可編程控制器CPU模塊上后，
可擴展多 5786K 字的軟元件/標簽存儲區(qū)域RD75P4參考手冊。RD75P4參考手冊。
擴展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標簽等的范圍。
因此，可輕松進行編程，而無需考慮各存儲區(qū)域的邊界。
此外，還可使用SD存儲卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。