R312B產(chǎn)品特點(diǎn)及功能介紹：
輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
輸出形式：繼電器輸出。
額定開閉電壓、電流：DC24V/2A、AC240V/2A。
額定負(fù)載電壓：-。
大負(fù)載電流：-。
響應(yīng)時(shí)間：12ms以下。
公共端方式：16點(diǎn)/公共端。
保護(hù)功能（過載、過熱）：-。
外部配線連接方式：18點(diǎn)螺釘端子臺(tái)。
輸出模塊帶機(jī)械式繼電器觸點(diǎn)機(jī)構(gòu)，
包括所用的負(fù)載電壓范圍較大的繼電器輸出型和可用于DC12~24V負(fù)載的晶體管輸出型R312B
可根據(jù)負(fù)載電壓、輸出點(diǎn)數(shù)的不同，選擇適合用戶需求的模塊。
根據(jù)繼電器觸點(diǎn)壽命進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。
繼電器輸出模塊可累計(jì)各輸出點(diǎn)的ON次數(shù)。
可通過了解該繼電器觸點(diǎn)的開關(guān)次數(shù)，根據(jù)繼電器壽命進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。輸入點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
額定輸入電壓、頻率：DC24V。
額定輸入電流：6.0mA。
響應(yīng)時(shí)間：5μs～70ms。
公共端方式：8點(diǎn)/公共端（正極公共端）。
中斷功能：有。
外部配線連接方式：18點(diǎn)螺釘端子臺(tái)。
輸入模塊為控制系統(tǒng)中使用多的模塊。
可根據(jù)輸入電壓、輸入點(diǎn)數(shù)的不同，選擇適合用戶需求的模塊。
1個(gè)模塊配備多種功能。
可通過單個(gè)輸入模塊，以1點(diǎn)為單位設(shè)定高速響應(yīng)、中斷輸入功能。
此外，可按模塊的公共端自由選擇正極公共端/負(fù)極公共端。
無需按輸入規(guī)格和功能使用不同的模塊，減少了模塊數(shù)量，
因此插槽占用數(shù)量可比以往減少20%、部署成本可比以往降低60%。運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：320K。
作為可編程控制器控制系統(tǒng)的核心，可編程控制器CPU模塊中已配備多種功能，
支持多種控制。程序容量從40K步到1200K步，可選擇適合系統(tǒng)規(guī)模的CPU模塊。
并且具有可直接連接到工業(yè)網(wǎng)絡(luò)的CPU模塊，可降低系統(tǒng)構(gòu)建成本。
標(biāo)配各種接口。
可編程控制器CPU模塊已標(biāo)配以太網(wǎng)端口、 USB端口、 SD存儲(chǔ)卡插槽。
以太網(wǎng)端口和USB端口可用于與對應(yīng)外圍設(shè)備之間的通信，
SD存儲(chǔ)卡插槽可用于記錄數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫等數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。
此外，還可使用擴(kuò)展SRAM卡，用于軟元件/標(biāo)簽存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展和用作硬件安全密鑰。安全度等級(jí)（SIL）：SIL 3（IEC 61508）。
性能等級(jí)（ PL）：PL e（EN/ISO 13849-1）。
運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
程序容量：320K（安全程序用：40K）。
程序內(nèi)存：1280K。
軟元件/標(biāo)簽內(nèi)存：2306K。
數(shù)據(jù)內(nèi)存：20M。
將安全功能整合到控制系統(tǒng)中。
可將以往的MELSEC iQ-R系列模塊作為一般控制用途，
在同一基板上使用，因此可構(gòu)建混合使用一般控制和安全控制的系統(tǒng)。
而且，可通過CC-Link IE Field網(wǎng)絡(luò)整合一般通信和安全通信，
在進(jìn)行安全通信時(shí)，也也可使用一般的以太網(wǎng)電纜，
無需使用專用電纜等。
統(tǒng)一程序開發(fā)環(huán)境
無論是一般控制程序還是安全控制程程序，都可以整合為１個(gè)工程文件，
由GX Works3統(tǒng)一進(jìn)行管理。可省去管理多個(gè)工程文件的煩瑣操作。
在創(chuàng)建安全控制程序時(shí)，也和創(chuàng)建一般控制程序時(shí)相同，
可使用支持程序開發(fā)的GXWorks3的各種功能。
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